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主動(dòng)式防震臺(tái)--AVI系列隔振方案
2020-3-27
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主動(dòng)式防震臺(tái)--AVI系列隔振方案簡(jiǎn)述優(yōu)尼康（Unicorn）一直為廣大的用戶提供的環(huán)境改善方案，為電子顯微鏡和類似的大型研究?jī)x器提供業(yè)界的主動(dòng)隔振性能(從0.5Hz開(kāi)始)。AVI系列隔振方案：通過(guò)消除，干擾測(cè)量的破壞性低頻振動(dòng)噪聲，幫助用戶從顯微鏡中獲得更多信息。其中AVI系列減震平臺(tái)采用了超薄型和模塊化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化了安裝過(guò)程，從而在安裝時(shí)不需要為大多數(shù)儀器安裝的起重設(shè)備（這個(gè)方案適合絕大數(shù)的EMs)。優(yōu)尼康提供的場(chǎng)地設(shè)計(jì)方案的工作流程，人性化的定制化安裝選型：按客戶的場(chǎng)地測(cè)...
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Filmetrics膜厚儀 車燈行業(yè)解決方案
2020-3-20
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Filmetrics膜厚儀車燈行業(yè)解決方案在車燈加工行業(yè)，車燈在成型后，如不做處理，直接裝置與汽車上，其表面會(huì)較容易出現(xiàn)刮痕損傷，影響汽車照明性能，為了防止此類損傷，現(xiàn)在的車燈加工廠往往會(huì)在車燈燈具表面噴涂或浸涂一層加硬涂層（Hardcoat），以保護(hù)車燈表面。對(duì)于硬涂層的厚度需要嚴(yán)格控制，如果加硬涂層太厚，涂層成本會(huì)相對(duì)升高，涂層太薄，防損傷效果又會(huì)減弱。而且在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，加硬涂層涂在車燈PC樹(shù)脂基材上，時(shí)間久了，可能會(huì)有脫落現(xiàn)象，所以在涂完加硬層后，會(huì)再新增一道工藝，...
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關(guān)于XRF鍍層測(cè)厚儀的優(yōu)勢(shì)和原理你了解嗎？
2020-3-19
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XRF鍍層測(cè)厚儀又叫膜厚儀、膜厚測(cè)試儀、膜厚計(jì)或者鍍層測(cè)厚儀（比如GT810F、GT810NF、GT8102等），可無(wú)損地測(cè)量磁性金屬基體（如：鋼、鐵、合金和硬磁性鋼等）上非磁性涂層的厚度（如鋁、鉻、銅、琺瑯、橡膠、油漆等），以及非磁性金屬基體（如銅、鋁、鋅、錫等）上非導(dǎo)電覆層的厚度（如：琺瑯、橡膠、油漆、塑料等）。XRF鍍層測(cè)厚儀具有測(cè)量誤差小、可靠性高、穩(wěn)定性好、操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)，是控制和產(chǎn)品質(zhì)量*的檢測(cè)儀器。XRF鍍層測(cè)厚儀的優(yōu)勢(shì)如下：1、對(duì)于壓敏膠，涂布/紙加工，煙草薄...
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FILMETRICS膜厚儀--光纖通訊中的應(yīng)用
2020-3-12
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FILMETRICS膜厚儀--光纖通訊中的應(yīng)用目前光電子集成芯片技術(shù)正處于高速發(fā)展時(shí)期。都投入了資源進(jìn)行光電子器件的研發(fā)，在有關(guān)基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題、關(guān)鍵技術(shù)、示范應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)推廣等方面均有重大進(jìn)展和突破。膜厚儀光電子集成芯片技術(shù)是將光電材料和功能微結(jié)構(gòu)集成在單一芯片上，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能的新技術(shù)。發(fā)展與微電子集成電路類似的光電子集成芯片技術(shù)，是光電子器件技術(shù)正在面臨著的一次里程碑式變革。光電子集成芯片技術(shù)具有低功耗、高速率、高可靠、小體積等突出的優(yōu)點(diǎn)，必將在光傳輸、光信息處理與交換、光接入...
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臺(tái)階儀的主要分類有哪幾種？
2020-2-24
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臺(tái)階儀屬于接觸式表面形貌測(cè)量?jī)x器。根據(jù)使用傳感器的不同，接觸式臺(tái)階測(cè)量可以分為電感式、壓電式和光電式3種。其測(cè)量原理是：當(dāng)觸針沿被測(cè)表面輕輕滑過(guò)時(shí)，由于表面有微小的峰谷使觸針在滑行的同時(shí)，還沿峰谷作上下運(yùn)動(dòng)。觸針的運(yùn)動(dòng)情況就反映了表面輪廓的情況。傳感器輸出的電信號(hào)經(jīng)測(cè)量電橋后，輸出與觸針偏離平衡位置的位移成正比的調(diào)幅信號(hào)。經(jīng)放大與相敏整流后，可將位移信號(hào)從調(diào)幅信號(hào)中解調(diào)出來(lái)，得到放大了的與觸針位移成正比的緩慢變化信號(hào)。再經(jīng)噪音濾波器、波度濾波器進(jìn)一步濾去調(diào)制頻率與外界干擾信號(hào)...
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5G時(shí)代重要的半導(dǎo)體材料：碳化硅（SiC）的膜厚測(cè)量
2020-1-17
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作者：KevinHu，優(yōu)尼康科技有限公司技術(shù)工程師隨著5G大潮的到來(lái)，新一代的移動(dòng)通信產(chǎn)品大多具備高功率，耐高溫等特性，傳統(tǒng)原料中的硅(Si)無(wú)法克服在高溫、高壓、高頻中的損耗，逐漸被淘汰，跟不上時(shí)代的發(fā)展，無(wú)法滿足現(xiàn)代工藝的要求，這就使得碳化硅（SiC）新工藝在半導(dǎo)體行業(yè)嶄露頭角。目前SiC產(chǎn)品格局還處于三足鼎立的狀態(tài)，美國(guó)、歐洲、日本占據(jù)產(chǎn)值的八成，其中又以美國(guó)獨(dú)大，中國(guó)雖以即將進(jìn)入5G時(shí)代，但是半導(dǎo)體在SiC方面仍屬于發(fā)展初期，目前在基底、磊晶和零組件方面均有布局。為了...
